Terahertz Frequency difference from vertically-integrated low-temperature-grown GaAs photodetector - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2002

Terahertz Frequency difference from vertically-integrated low-temperature-grown GaAs photodetector

Emilien Peytavit
S. Arscott
CV
D. Lippens
  • Fonction : Auteur
G. Mouret
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère
S. Matton
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère
P. Masselin
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère
R. Bocquet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1196820
  • IdRef : 096652578
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère
J. F. Lampin
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
F. Mollot

Domaines

Optique [physics.optics]

Lyliane Chaumont-Souvraz  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00019468

Soumis le : mercredi 22 février 2006-15:25:42

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00019468 , version 1 (22-02-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00019468 , version 1

Citer

Emilien Peytavit, S. Arscott, D. Lippens, G. Mouret, S. Matton, et al.. Terahertz Frequency difference from vertically-integrated low-temperature-grown GaAs photodetector. Applied Physics Letters, 2002, 181, pp.1174-1176. ⟨hal-00019468⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-LITTORAL IEMN LPCA
34 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More