Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2002

Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density

Véronique Gysembergh  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00018489

Soumis le : vendredi 3 février 2006-10:44:07

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00018489 , version 1 (03-02-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00018489 , version 1

Citer

D. Vignaud, Jean-Francois Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot. Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density. Applied Physics Letters, 2002, 80, pp.4151. ⟨hal-00018489⟩

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