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Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2002

Experimental study of hot-electron inelastic scattering rate in p-type InGaAs

D. Sicault
  • Fonction : Auteur
R. Teissier
F. Pardo
  • Fonction : Auteur
J.L. Pelouard
  • Fonction : Auteur
F. Mollot
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Véronique Gysembergh  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00018482

Soumis le : vendredi 3 février 2006-10:03:27

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00018482 , version 1 (03-02-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00018482 , version 1

Citer

D. Sicault, R. Teissier, F. Pardo, J.L. Pelouard, F. Mollot. Experimental study of hot-electron inelastic scattering rate in p-type InGaAs. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2002, 65, 12, pp.121301. ⟨hal-00018482⟩

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