Terahertz frequency difference from vertically integrated low-temperature-grown GaAs photodetector

Emilien Peytavit (1) , S. Arscott (1) , D. Lippens (1) , G. Mouret (2) , S. Matton (3) , P. Masselin (3) , R. Bocquet (3) , Jean-Francois Lampin (1) , L. Desplanque (1) , F. Mollot (1)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 LSGC - Laboratoire des Sciences du Génie Chimique
3 LPCA - Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère

Mots clés: Terahertz; GaAs photodetector; "Terahertz"; "GaAs photodetector"

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Emilien Peytavit, S. Arscott, D. Lippens, G. Mouret, S. Matton, et al.. Terahertz frequency difference from vertically integrated low-temperature-grown GaAs photodetector. Applied Physics Letters, 2002, 81 (7), pp.1174-1176. ⟨10.1063/1.1499517⟩. ⟨hal-02347924⟩