Field effect on optical recombination in Si/SiGe quantum hgeterostructures having U, W and M type II potential designs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: B Année : 2005

Field effect on optical recombination in Si/SiGe quantum hgeterostructures having U, W and M type II potential designs

N. Sfina
  • Fonction : Auteur
J.L. Lazzari
Centre de recherche de la matière condensée et des nanosciences
CV
M. Said
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00016469

Soumis le : jeudi 5 janvier 2006-11:16:40

Dernière modification le : vendredi 15 septembre 2023-10:38:30

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00016469 , version 1 (05-01-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00016469 , version 1

Citer

N. Sfina, J.L. Lazzari, M. Said. Field effect on optical recombination in Si/SiGe quantum hgeterostructures having U, W and M type II potential designs. Materials Science and Engineering: B, 2005, 124, pp.470-474. ⟨hal-00016469⟩

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