Role of steps in deposition rate in silane chemical vapor deposition on Si(111) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2005

Role of steps in deposition rate in silane chemical vapor deposition on Si(111)

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https://hal.science/hal-00015224

Soumis le : lundi 5 décembre 2005-14:46:05

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:47

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Dates et versions

hal-00015224 , version 1 (05-12-2005)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00015224 , version 1

Citer

L. Masson, F. Thibaudau. Role of steps in deposition rate in silane chemical vapor deposition on Si(111). Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2005, 71, pp.085314. ⟨hal-00015224⟩

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