Alloy effects in GaInN/GaN heterostructures

Abstract : We show that the large band offsets between GaN and InN and the heavy carrier effective masses preclude the use of the Virtual Crystal Approximation to describe the electronic structure of Ga_(1-x)In_(x)N/GaN heterostructures while this approximation works very well for the Ga_(1-x)In_(x)As/GaAs heterostructures.
Keywords : VCA alloy GaInN
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Solid State Communications, Elsevier, 2004, 130, pp.751
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Contributeur : Nicolas Regnault <>
Soumis le : jeudi 6 novembre 2003 - 16:59:46
Dernière modification le : lundi 10 décembre 2018 - 01:30:15
Document(s) archivé(s) le : lundi 29 mars 2010 - 17:07:13

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Duc Phuong Nguyen, Nicolas Regnault, Robson Ferreira, Gérald Bastard. Alloy effects in GaInN/GaN heterostructures. Solid State Communications, Elsevier, 2004, 130, pp.751. 〈hal-00000821〉

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