Cross-section doping topography of 4H-SiC VJFETs by various techniques

Abstract : Different methods for cross-section doping topography of SiC Trenched-singly-implanted vertical junction field effect transistors (TSI-VJFETs) are presented with the purpose to determine the doping distribution in the epitaxial structure and the implanted areas.
Type de document :
Communication dans un congrès
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017), Sep 2017, Washington, DC, United States. 〈http://www.mrs.org/icscrm-2017〉
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Contributeur : Konstantinos Zekentes <>
Soumis le : jeudi 1 février 2018 - 18:28:21
Dernière modification le : mercredi 30 mai 2018 - 10:26:02
Document(s) archivé(s) le : mercredi 2 mai 2018 - 18:55:20

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K. Tsagaraki, M Nafouti, H. Peyre, K Vamvoukakis, N Makris, et al.. Cross-section doping topography of 4H-SiC VJFETs by various techniques. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017), Sep 2017, Washington, DC, United States. 〈http://www.mrs.org/icscrm-2017〉. 〈hal-01698971〉

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