Low frequency noise temperature measurements in SiGe:C heterojunction bipolar transistors - Institut d'Electronique et des Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01907425 , version 1 (29-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01907425 , version 1

Citer

M. Seif, F. Pascal, B. Sagnes, A. Hoffmann, S. Haendler, et al.. Low frequency noise temperature measurements in SiGe:C heterojunction bipolar transistors. 2015 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), 2015, Xian, China. ⟨hal-01907425⟩
48 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More