Study of low frequency noise in advanced SiGe : C heterojunction bipolar transistors - Institut d'Electronique et des Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01906161 , version 1 (26-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01906161 , version 1

Citer

M. Seif, F. Pascal, B. Sagnes, A. Hoffmann, S. Haendler, et al.. Study of low frequency noise in advanced SiGe : C heterojunction bipolar transistors. 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2014, Venise, Italy. ⟨hal-01906161⟩
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