| Science Engineering Materials and Process |  |
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| HAL: hal-00528920, version 1 |
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| FR 2927910 (A1) (28/08/2009) - France |
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| PROCEDE DE CRISTALLOGENESE D'UN MATERIAU ELECTRIQUEMENT CONDUCTEUR A L'ETAT FONDU |
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| T. Duffar 1G. Vian 1 |
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| (2009-08-28) |
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| La présente invention concerne un procédé de cristallogenèse d'un matériau électriquement conducteur à l'état fondu, par tirage à partir d'une masse fondue de ce matériau dans un creuset (1), dans lequel :- le matériau fondu est soumis progressivement à une température décroissante, de telle sorte qu'il se forme une interface liquide-solide, et- le matériau fondu est soumis, avant et pendant la solidification, à un brassage électromagnétiq ue,ledit procédé étant caractérisé en ce que l'on contrôle en outre la planéité de l'interface liquide-solide du matériau.L'invention concerne également un dispositif pour la mise en oeuvre dudit procédé. |
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| 1: | Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés (SIMAP) |
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CNRS : UMR5266 – Université Joseph Fourier - Grenoble I – Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) |
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| Subject | : | Chemical Sciences/Material chemistry |
| hal-00528920, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00528920 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00528920 | |
| From: Michel Pons | |
| Submitted on: Friday, 22 October 2010 18:38:47 | |
| Updated on: Friday, 22 October 2010 18:38:47 | |
