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Determination of the deposited energy in a silicon volume by n-Si nuclear interaction
Chabane H., Vaillé J.-R., Mérelle T., Saigné F., Dusseau L., Dumas M., Palau J.-M., Barelaud B., Decossas J.-L., Wrobel F. et al
Journal of Applied Physics 99, 12 (2006) 124916.1-124916.5 - http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00329590
Type de publication : Articles dans des revues avec comité de lecture
Domaine : Sciences de l'ingénieur/Electronique
Titre : Determination of the deposited energy in a silicon volume by n-Si nuclear interaction
Auteur(s) : H. Chabane 1, J.-R. Vaillé 1, T. Mérelle 1, F. Saigné 1, L. Dusseau 1, M. Dumas 2, J.-M. Palau 1, B. Barelaud, J.-L. Decossas, F. Wrobel 1, N. Buard 3, 4, M.-C. Palau
Laboratoire :
1 :  Institut d'Electronique du Sud (IES)
CNRS : UMR5214 – Université Montpellier II - Sciences et techniques
Place Eugène Bataillon 34095 MONTPELLIER CEDEX 5
France
2 :  Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier (CEM2)
http://www.cem2.univ-montp2.fr
CNRS : UMR5507 – Université Montpellier II - Sciences et techniques
CC 084 - Place Eugène Bataillon - 34095 MONTPELLIER CEDEX 5
France
3 :  EADS, Corporate Research Center
http://www.eads.com
EADS Paris
EADS France S.A.S. · 37, boulevard de Montmorency · 75781 Paris Cedex 16 ·
France
4 :  Space Transportat
European Aeronaut Def & Space Co
France
Langue du texte
intégral :		 Anglais
Journal :
Journal of Applied Physics (J. Appl. Phys.)
Publisher American Institute of Physics (AIP)
ISSN 0021-8979 
Audience : internationale
Date de publication : 2006
Volume : 99
Numéro : 12
Page, identifiant, ... : 124916.1-124916.5
hal-00329590, version 1
http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00329590
oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00329590
Contributeur : Dauverchain Eric <>
Soumis le : Lundi 13 Octobre 2008, 10:07:52
Dernière modification le : Mercredi 29 Octobre 2008, 14:51:35