HAL : hal-00328657, version 1

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IEEE Transactions on Nuclear Science 52 (2), 5 (2005) 1538-1544

Monte-Carlo simulations to quantify neutron-induced multiple bit upsets in advanced SRAMs

T. Mérelle 1, F. Saigné 1, B. Sagnes 1, G. Gasiot, P. Roche, T. Carrière 2, 3, M.-C. Palau, F. Wrobel 1, 4, J.-M. Palau 1

(2005)

This paper presents a new 3D methodology to simulate Multiple Bit Upsets in commercial SRAMs. Experiments are performed at the Los Alamos neutron facility on 90, 130, and 250 nm SRAMs and compared to Monte-Carlo simulations. A discussion on ions inducing MBUs is also proposed.

1 :	Institut d'Electronique du Sud (IES)
	CNRS : UMR5214 – Université Montpellier II - Sciences et techniques
2 :	EADS, Corporate Research Center
	EADS Paris
3 :	Space Transportat
	European Aeronaut Def & Space Co
4 :	LPES - Laboratoire de Physique Electronique des Solides, EA 1174
	Université Nice Sophia Antipolis [UNS]

Domaine

:

Sciences de l'ingénieur/Electronique

hal-00328657, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00328657

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00328657

Contributeur : Eric Picard <>

Soumis le : Vendredi 10 Octobre 2008, 11:52:11

Dernière modification le : Jeudi 30 Octobre 2008, 13:50:14