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| HAL : hal-00327170, version 1 |
| DOI : 10.1364/AO.42.006678 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Applied Optics 42, 33 (2003) 6678-6681 |
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| CW operation of 1.5 µm optically-pumped external-cavity VCSEL monolithically grown by MOCVD |
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| C. Symonds 1, 2I. Sagnes |
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| (2003) |
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| Continuous-wave operation, to as high as 7 °C, of 1.5-μm optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting lasers is reported. The epitaxial structure, monolithically grown on InP by metal-organic chemical vapor deposition, consists of an InAlAs/GaInAlAs Bragg reflector, an InGaAs/InGaAsP active region, and an InP capping layer. The threshold incident pump intensity is <9 kW/cm2. |
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| 1 : | Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN) |
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CNRS : UPR20 |
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| 2 : | Laboratoire de Physique de la Matière Condensée et Nanostructures (LPMCN) |
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CNRS : UMR5586 – Université Claude Bernard - Lyon I |
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| 3 : | Institut d'Electronique du Sud (IES) |
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CNRS : UMR5214 – Université Montpellier II - Sciences et techniques |
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| Domaine | : | Sciences de l'ingénieur/Electronique |
| hal-00327170, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327170 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00327170 | |
| Contributeur : Daniel Gasquet | |
| Soumis le : Mardi 7 Octobre 2008, 15:51:22 | |
| Dernière modification le : Jeudi 30 Octobre 2008, 14:12:59 | |
