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HAL : hal-00327149, version 1
DOI : 10.1109/TNS.2007.910171
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Study of the thermal behavior of the OSL integrated sensor response
Garcia P., Vaillé J.-R., Benoit D., Ravotti F., Artola L., Sagnes B., Lorfèvre E., Bezerra F., Dusseau L.
IEEE Transactions on Nuclear Science 54, 6 (2007) 2272-2275 - http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327149
Type de publication : Articles dans des revues avec comité de lecture
Domaine : Sciences de l'ingénieur/Electronique
Titre : Study of the thermal behavior of the OSL integrated sensor response
Auteur(s) : P. Garcia 1, J.-R. Vaillé 1, D. Benoit, F. Ravotti, L. Artola, B. Sagnes 1, E. Lorfèvre, F. Bezerra 2, L. Dusseau 1
Laboratoire :
1 :  Institut d'Electronique du Sud (IES)
CNRS : UMR5214 – Université Montpellier II - Sciences et techniques
Place Eugène Bataillon 34095 MONTPELLIER CEDEX 5
France
2 :  Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture (TIMA)
http://tima.imag.fr/
CNRS : UMR5159 – Université Joseph Fourier - Grenoble I – Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)
46 Av Félix Viallet 38031 GRENOBLE CEDEX 1
France
Résumé : Temperature irradiation is shown to cause the fading of the OSL signal. The temperature dependence is modeled using an Arrhenius law. A simple method is proposed to correct this effect a posteriori.
Langue du texte
intégral :		 Anglais
Journal :
IEEE Transactions on Nuclear Science (IEEE Trans. Nucl. Sci.)
Publisher Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
ISSN 0018-9499 
Audience : internationale
Date de publication : 12/2007
Volume : 54
Numéro : 6
Page, identifiant, ... : 2272-2275
hal-00327149, version 1
http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00327149
oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00327149
Contributeur : Dauverchain Eric <>
Soumis le : Mardi 7 Octobre 2008, 15:06:38
Dernière modification le : Jeudi 9 Octobre 2008, 09:23:56