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IET Optoelectron. (2007) 255-258
Demonstration of 1.51μm InAs/InP(311)B quantum dot single-mode laser operating under continuous wave
Gautier Moreau 1, Kamel Merghem 1, Anthony Martinez 1, Sophie Bouchoule 1, A. Ramdane 1, Frédéric GRILLOT 2, Rozenn Piron 2, Olivier Dehaese 2, Estelle Homeyer 2, Karine Tavernier 2, Slimane Loualiche 2, Philippe Berdaguer 3, Frederic Pommerau 3
(20/12/2007)

The achievement of a 1.51 µm InAs/InP(311)B quantum dot (QD) single-mode Fabry–Perot laser operating under continuous wave at room temperature is reported. A threshold current of 80 mA associated with a 0.12 W/A external efficiency is reported for as-cleaved device at room temperature. The maximum output power, the gain peak wavelength at threshold and the full width at half maximum of the spectral gain are 5 mW, 1512 nm and 60 nm, respectively. Although these performances must be improved in the future, these results constitute to our knowledge the state-of-the-art on InP(3 1 1)B substrate. These results are of great interest since QD-based lasers are expected to play a major role in the next generation telecommunication networks as low-cost devices.
1 :  Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN)
CNRS : UPR20
2 :  Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (FOTON)
CNRS : UMR6082 – Université de Rennes 1 – Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes – Ecole Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT) – Institut Mines-Télécom – Télécom Bretagne – PRES Université Européenne de Bretagne [UEB]
3 :  Alcatel Lucent Bell Labs
ALCATEL
Sciences de l'ingénieur/Matériaux

Sciences de l'ingénieur/Optique / photonique