Caractéristiques courant-tension de jonctions P-N fabriquées par traitement laser

E. Fogarassy (1) , A. Slaoui (1) , P. Siffert (1)

1 IReS - Institut de Recherches Subatomiques

Le but de ce travail est d'analyser les caractéristiques courant-tension des jonctions P-N fabriquées dans du silicium au moyen d'impulsions laser brèves et de fortes puissances permettant de fondre superficiellement le silicium et de les comparer aux propriétés des diodes préparées par diffusion thermique classique. L'origine des modifications observées est attribuée d'une part à la création de défauts dans la zone de charge d'espace et à la surface des échantillons par l'impulsion laser, d'autre part à la constitution de solutions solides sursaturées, caractérisées par une densité très élevée de porteurs électriquement actifs.

Mots clés: carrier density; elemental semiconductors; p n homojunctions; silicon; semiconductor; I V characteristics; p n junctions; current voltage characteristics; pulsed laser melting; classical thermal diffusion diodes; defects; space charge region; supersaturated solid solutions; high densities; electrically active carriers

Domaines: Articles anciens; Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]

E. Fogarassy, A. Slaoui, P. Siffert. Caractéristiques courant-tension de jonctions P-N fabriquées par traitement laser. Revue de Physique Appliquée, 1985, 20 (3), pp.157-162. ⟨10.1051/rphysap:01985002003015700⟩. ⟨jpa-00245318⟩