Emploi de lasers dans la technologie des photopiles

J.C. Muller (1) , P. Siffert (1)

1 IReS - Institut de Recherches Subatomiques

Dans cet article on passe en revue les différentes applications des lasers de puissance continus ou impulsionnels dans la technologie des cellules solaires à base de silicium. On considère tout d'abord les différents modèles développés pour calculer les effets de ces flux lumineux intenses sur le silicium ; puis, on analyse les possibilités d'emploi de ces dispositifs pour préparer des films autosupportants ou des couches sur substrat. Finalement, trois méthodes de réalisation de la jonction sont décrites : activation de dopants diffusés, implantation ionique conventionnelle ou simplifiée et dépôt de films en surface.

Mots clés: laser beam applications; semiconductor doping; semiconductor thin films; silicon; solar cells; photopile technology; pulsed lasers; high intensity light; self supporting films; deposited layers; rectifying junction; diffused dopants; ion implantation; alloying films; high power density continuous laser; Si solar cells; light absorption; film deposition; dopant activation; elemental semiconductors

Domaines: Articles anciens

J.C. Muller, P. Siffert. Emploi de lasers dans la technologie des photopiles. Revue de Physique Appliquée, 1980, 15 (3), pp.611-629. ⟨10.1051/rphysap:01980001503061100⟩. ⟨jpa-00244768⟩