HAL: jpa-00235684, version 1

DOI: 10.1051/jphysrad:01957001807044100

Detailed view

Export this paper BibTeX - EndNote - TEI - RefWorks -

J. Phys. Radium 18, 7 (1957) 441-446

Méthode de calcul des niveaux énergétiques associés aux pièges profonds d'un cristal semiconducteur

Jacques Des Cloizeaux, Pierre André

(1957)

Pour le calcul des pieges profonds dans les semiconducteurs, l'approximation des masses effectives n'est pas valable. Toutefois si l'on connait les masses effectives pour les bandes de valence et de conduction, ainsi que la largeur de la bande interdite, on peut, par prolongement analytique, évaluer approximativement la répartition des niveaux dans ces bandes. (Méthode de raccordement interbande.) Ces resultats peuvent servir de base au calcul des niveaux énergétiques des pieges profonds. La méthode est discutée et testée par un modèle à une dimension.

Subject

:

Physics/Physics archives

Keyword(s): semiconductors

jpa-00235684, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00235684

oai:hal.archives-ouvertes.fr:jpa-00235684

From: Archives Journal de Physique <>

Submitted on: Tuesday, 1 January 1957 08:00:00

Updated on: Tuesday, 1 January 1957 08:00:00