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| HAL : jpa-00235684, version 1 |
| DOI : 10.1051/jphysrad:01957001807044100 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| J. Phys. Radium 18, 7 (1957) 441-446 |
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| Méthode de calcul des niveaux énergétiques associés aux pièges profonds d'un cristal semiconducteur |
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| Jacques Des CloizeauxPierre André |
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| (1957) |
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| Pour le calcul des pieges profonds dans les semiconducteurs, l'approximation des masses effectives n'est pas valable. Toutefois si l'on connait les masses effectives pour les bandes de valence et de conduction, ainsi que la largeur de la bande interdite, on peut, par prolongement analytique, évaluer approximativement la répartition des niveaux dans ces bandes. (Méthode de raccordement interbande.) Ces resultats peuvent servir de base au calcul des niveaux énergétiques des pieges profonds. La méthode est discutée et testée par un modèle à une dimension. |
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| Domaine | : | Physique/Articles anciens |
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| semiconductors |
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| Liste des fichiers attachés à ce document : | |||||
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| jpa-00235684, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00235684 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:jpa-00235684 | |
| Contributeur : Archives Journal de Physique | |
| Soumis le : Mardi 1 Janvier 1957, 08:00:00 | |
| Dernière modification le : Mardi 1 Janvier 1957, 08:00:00 | |
