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J. Phys. Radium 18, 5 (1957) 297-303
Résistances et capacité internes d'une photopile au sélénium aux basses températures
G. Blet
(1957)

Nous avons étudié les variations des conductances directe et inverse d'une photopile au sélénium, en fonction de la différence de potentiel appliquée entre 0,001 et 5 volts, et de la température entre 66 °K et 300 °K. La variation est considérable et peut atteindre l'amplitude de 1 à 100 000. Les essais de vérification des lois théoriques relatives à la hauteur de la barrière de potentiel indiquent pour celle-ci la valeur un peu faible de 0,5 volt. Les vérifications sont qualitatives et ne deviennent quantitatives que pour des tensions appliquées très faibles et au voisinage de la température ambiante. L'étude de la capacité sera publiée prochainement, dans une seconde partie.
Physique/Articles anciens
photoelectricity – electric resistance – selenium
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