| L'amélioration des propriétés de photoémission d'une surface d'arséniure de gallium par adsorption d'une monocouche d'alcalin est un phénomène bien compris. On se propose ici d'apporter l'alcalin à la surface du GaAs, non pas depuis la phase gazeuse, mais à partir de l'intérieur du matériau en contrôlant la ségrégation en surface d'impuretés alcalines préalablement implantées. La ségrégation (produite en élevant la température de l'échantillon) est suivie par spectroscopie Auger, par spectroscopie d'ions secondaires (S.I.M.S.) ou par mesure du travail de sortie (méthode de Kelvin). Les résultats obtenus sont comparés et discutés. Les propriétés de photoémission obtenues après ségrégation montrent qu'il subsiste une densité élevée de défauts (dus à l'implantation ionique préalable) au voisinage de la surface. Des analyses au microscope électronique et en spectroscopie Raman confirment la présence de ces défauts. L'ensemble de ces analyses permet une évaluation du procédé proposé. |
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