Nanoscale cryogenic process for highly selective etch of Si3N4 over Si - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Nanoscale cryogenic process for highly selective etch of Si3N4 over Si

Gaelle Antoun
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1089289
Thomas Tillocher
CV
Philippe Lefaucheux
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 874204
Aurélie Girard
  • Fonction : Auteur
Christophe Cardinaud
Jacques Faguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1055804
Kaoru Maekawa
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1055805
Du Zhang
  • Fonction : Auteur
Hojin Kim
  • Fonction : Auteur
Mingmei Wang
  • Fonction : Auteur
Rémi Dussart
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Génie des procédés Plasmas Matériaux

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https://hal.science/hal-03280162

Soumis le : mercredi 7 juillet 2021-10:24:17

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:22

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03280162 , version 1 (07-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03280162 , version 1

Citer

Gaelle Antoun, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Aurélie Girard, Christophe Cardinaud, et al.. Nanoscale cryogenic process for highly selective etch of Si3N4 over Si. ALD/ALE 2021, Jun 2021, Virtual meeting, United States. ⟨hal-03280162⟩

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