Atomic layer etching of Gallium nitride (GaN) using SF6/Ar plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Atomic layer etching of Gallium nitride (GaN) using SF6/Ar plasmas

Lamiae Hamraoui
Gaëlle Antoun
  • Fonction : Auteur
Thomas Tillocher
CV
Philippe Lefaucheux
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 874204
Rémi Dussart
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
Mohamed Boufnichel
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Plasmas Génie des procédés Matériaux

Rémi Dussart  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03280147

Soumis le : mercredi 7 juillet 2021-10:14:39

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:22

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03280147 , version 1 (07-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03280147 , version 1

Citer

Lamiae Hamraoui, Gaëlle Antoun, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Rémi Dussart, et al.. Atomic layer etching of Gallium nitride (GaN) using SF6/Ar plasmas. ALD/ALE 2021, Jun 2021, Virtual meeting, United States. ⟨hal-03280147⟩

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