The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon

Gaelle Antoun (1) , Rémi Dussart (1) , Thomas Tillocher (1) , Philippe Lefaucheux (1) , Christophe Cardinaud (2) , Aurélie Girard (2) , Shigeru Tahara (3) , Kumiko Yamazaki (3) , Koichi Yatsuda (3) , Jacques Faguet (4) , Kaoru Maekawa (4)

1 GREMI - Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
2 IMN - Institut des Matériaux Jean Rouxel
3 TEL - Tokyo Electron
4 TEL Technology Center, America, LLC

Domaines: Physique des plasmas [physics.plasm-ph]; Sciences de l'ingénieur [physics]; Plasmas

Gaelle Antoun, Rémi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Christophe Cardinaud, et al.. The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon. Japanese Journal of Applied Physics, 2019, 58 (SE), pp.SEEB03. ⟨10.7567/1347-4065/ab1639⟩. ⟨hal-02139391⟩