%0 Conference Paper
%F Oral 
%T Ge assisted SiC epitaxial growth by CVD on SiC substrate
%+ Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (LMI)
%+ Laboratoire des matériaux et du génie physique (LMGP )
%+ Laboratoire Charles Coulomb (L2C)
%A Alassaad, Kassem
%A Soulière, Véronique
%A Doisneau, Beatrice
%A Cauwet, François
%A Peyre, Hervé
%A Carole, Davy
%A Chaussende, Didier
%A Ferro, Gabriel
%< avec comité de lecture
%B 15th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
%C Miyasaki, Japan
%V 778-780
%P 187-192
%8 2013-09-29
%D 2013
%R 10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.187
%Z Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]Conference papers
%G English
%L hal-02025422
%U https://hal.science/hal-02025422
%~ UGA
%~ CNRS
%~ UNIV-LYON1
%~ INPG
%~ L2C
%~ LMGP
%~ LMI
%~ INC-CNRS
%~ MIPS
%~ UNIV-MONTPELLIER
%~ UDL
%~ UNIV-LYON
%~ UM-2015-2021
%~ TEST2-HALCNRS