%0 Conference Paper
%F Oral 
%T p-Type Doping of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers with Aluminum
%+ Savoie Technolac (Technolac)
%+ NOVASiC
%+ Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA)
%+ Laboratoire Charles Coulomb (L2C)
%A Zielinski, Marc
%A Arvinte, Roxana
%A Chassagne, Thierry
%A Michon, Adrien
%A Portail, Marc
%A Kwasnicki, Pawel
%A Konczewicz, Leszek
%A Contreras, Sylvie
%A Juillaguet, Sandrine
%A Peyre, Hervé
%< avec comité de lecture
%B ICSCRM
%C Giardini Naxos, France
%V 858
%P 137 - 142
%8 2015-10-02
%D 2015
%R 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.137
%Z Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]Conference papers
%G English
%L hal-01936467
%U https://hal.science/hal-01936467
%~ UNICE
%~ CNRS
%~ L2C
%~ MIPS
%~ UNIV-MONTPELLIER
%~ UNIV-COTEDAZUR
%~ CRHEA
%~ UM-2015-2021