%0 Patent
%T Transistor Magnétique à effet de champ à gaz d’électrons bidimensionnel, dispositif et procédé associés
%+ Laboratoire Charles Coulomb (L2C)
%A Raymond, Andre
%A Chaubet, Christophe
%N WO2019002453A1
%Z L2C:17-203
%C France
%8 2019-01-03
%D 2019
%K TEGFETTrasistorGrilleAccepteurs
%Z Physics [physics]/Quantum Physics [quant-ph]
%Z Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect [cond-mat.mes-hall]Patents
%X le M-TEGFET, est un nouveau type de transistor, sans grille, fonctionnant grâce à un effet magnétique.
%G English
%L hal-01705324
%U https://hal.science/hal-01705324
%~ CNRS
%~ L2C
%~ MIPS
%~ UNIV-MONTPELLIER
%~ UM-2015-2021