Banc de test de transistors MOSFET de puissance sous irradiation par ions lourds

Jean-Jacques Huselstein (1, 2) , François Forest (1, 2) , Mickaël Petit (1) , Aymeric Privat (1) , Antoine Touboul (1, 3)

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 GEM - Groupe énergie et matériaux
3 RADIAC - Radiations et composants

Cet article présente un banc de vieillissement sous irradiation de transistors MOSFETs de puissance qui sera utilisé au GANIL (Grand Accélérateur National d'Ions Lourds). L'originalité de ce banc est d'assurer un fonctionnement par découpage haute fréquence des MOSFETs pendant la phase d'irradiation avec la possibilité de choisir de nombreux paramètres de fonctionnement. Un dispositif de mesure automatique de courant de fuite de grille pendant l'irradiation est incorporé au système. Ce banc est conçu pour faire travailler simultanément 6 transistors MOSFETs devant la fenêtre d'irradiation. Pour chaque transistor en test la structure de puissance est constituée par deux hacheurs en opposition (dont un est constitué avec le MOSFET sous irradiation) avec une régulation de courant et une régulation de température de jonction. Une première série de test sous irradiation a été réalisé GANIL en mai 2014 a permis d'obtenir des résultats brièvement présentés dans l'article.

Domaines: Energie électrique

Jean-Jacques Huselstein, François Forest, Mickaël Petit, Aymeric Privat, Antoine Touboul. Banc de test de transistors MOSFET de puissance sous irradiation par ions lourds. Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065186⟩