Amélioration des performances du thyristor à l'état bloqué en haute température

Gaëtan Toulon (1) , Karine Isoird (2) , Abdelhakim Bourennane (1)

1 LAAS-ISGE - Équipe Intégration de Systèmes de Gestion de l'Énergie
2 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Nous présentons dans cet article une architecture thyristor silicium présentant de meilleures caractéristiques à l'état bloqué en haute température. L'amélioration de la tenue en tension, par rapport à un thyristor classique, est rendue possible par une utilisation judicieuse de contacts Schottky sur la face arrière d'un thyristor classique. La présence d'un tel contact permet de réduire l'injection de trous de l'émetteur P+ face arrière dans la base N-, et par conséquent de diminuer le courant de fuite à l'état bloqué et ainsi améliorer la tenue en tension directe à températures élevées. Nous étudions, à partir de simulation TCAD, l'effet de la technique sur une structure thyristor 5 kV symétrique en tension sur ses caractéristiques électriques que nous comparerons à celles d'une structure thyristor classiques et à courtscircuits d'anode.

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Gaëtan Toulon, Karine Isoird, Abdelhakim Bourennane. Amélioration des performances du thyristor à l'état bloqué en haute température. Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Jul 2012, BORDEAUX, France. 4 p. ⟨hal-01005931⟩