Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N

Résumé

Dans ce papier, un transistor FLYMOS™ 65V est caractérisé en commutation pour la première fois dans le but d'être comparé à un transistor VDMOS conventionnel. Il s'avère que les mesures de capacités inter-électrodes et de gate charge des deux composants sont comparables. Une étude comparative, à l'aide de simulations 2D, de deux structures de même tenue en tension nous a permis de conforter ces résultats, confirmant l'hypothèse que l'insertion d'îlot flottants n'entraînait pas de phénomène parasite ou nouveau, dans le cas d'îlots faiblement dopés.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-01002255 , version 1 (05-06-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01002255 , version 1

Citer

Loïc Théolier, Karine Isoird, Henri Tranduc, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart, et al.. Performances dynamiques des transistors FLYMOSTM 65 Volts à canal N. Electronique de Puissance du Futur (EPF'2006), Jul 2006, GRENOBLE, France. 5 p. ⟨hal-01002255⟩
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