Study of substrate orientations impact on Ultra Thin Buried Oxide (UTBOX) FDSOI High-K Metal gate technology performances

I. Ben Akkez (1) , C. Fenouillet-Beranger (2) , A. Cros (3) , P. Perreau , S. Haendler , O. Weber , F. Andrieu (2) , D. Pellissier-Tanon , F. Abbate , C. Richard (4) , R. Beneyton , P. Gouraud (4) , A. Margain , C. Borowiak , E. Gourvest (4) , K.K. Bourdelle (5) , B.Y. Nguyen , T. Poiroux (2) , T. Skotnicki (4) , O. Faynot (2) , F. Balestra (1) , G. Ghibaudo (1) , F. Boeuf

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 GEOPS - Géosciences Paris Sud
4 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
5 Silicon-on-Insulator Technologies (SOITEC)

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

I. Ben Akkez, C. Fenouillet-Beranger, A. Cros, P. Perreau, S. Haendler, et al.. Study of substrate orientations impact on Ultra Thin Buried Oxide (UTBOX) FDSOI High-K Metal gate technology performances. Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.134-142. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.039⟩. ⟨hal-01002180⟩