Métallisations cuivre 3D pour des passifs performants et l'interconnexion de puces MMIC
Résumé
Ce papier décrit un procédé technologique faible coût capable d'intégrer, directement sur une puce active et en une seule étape de croissance électrolytique, des interconnexions et des inductances 3D multi-niveaux très faibles pertes. Ce procédé apparaît aussi adapté à l'interconnexion de puces pour des applications du type " System in Package - SiP ". Il s'appuie sur l'utilisation des résines polymères SU-8 et BPN ainsi que sur un procédé d'électrodéposition de cuivre, optimisé pour réaliser des métallisations 3D. Pour démontrer les potentialités de ce procédé, des inductances à fort coefficient de surtension (58 @ 5 GHz) ont été intégrées en dessus d'un transistor LDMOS de puissance. De même, des puces MMIC ont été interconnectées en intégrant simultanément des passifs inductifs.
Domaines
Electronique
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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