Modélisation Large Bande de la Dispersion Fréquentielle de la Conductance de sortie et de la Transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN

Séraphin Dieudonné Nsele (1) , Laurent Escotte (1) , Jean-Guy Tartarin (2) , Stéphane Piotrowicz (3) , Sylvain L. Delage (3)

1 LAAS - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes
2 LAAS-MOST - Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications
3 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab

Un modèle large bande de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie et de la transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN est présenté dans cet article. Ce modèle prend en compte tous les types de dispersion jusqu'aux fréquences micro-ondes ainsi que le caractère distribué des constantes de temps des pièges à l'origine de ces dispersions. Il a été validé en comparant les résultats de modélisation aux paramètres expérimentaux pour plusieurs conditions de polarisation.

Domaines: Electronique

Séraphin Dieudonné Nsele, Laurent Escotte, Jean-Guy Tartarin, Stéphane Piotrowicz, Sylvain L. Delage. Modélisation Large Bande de la Dispersion Fréquentielle de la Conductance de sortie et de la Transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN. Journées Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.Id263. ⟨hal-00860965⟩