Quadrupleur de fréquences en technologie SiGe:C BiCMOS 130 nm pour un radar à ondes continues modulées en bande-F

Vaclav Valenta (1) , Mehmet Kaynak (2) , Andreas Trasser (3) , Hermann Schumacher (3)

1 Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen
2 IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
3 Institut für Elektronische Bauelemente und Schaltungen

Dans cet article, nous présentons un quadrupleur de fréquences à 110 GHz conçu et développé en technologie SiGe:C BiCMOS 130 nm. Le circuit est conçu pour un système d'imagerie basé sur un radar à ondes continues modulées (FMCW) en bande-F et emploie une cascade de deux cellules de Gilbert avec des charges réactives réalisées avec des lignes de transmission TFML (thin-film microstrip line). Le signal d'entrée différentiel, qui est utilisé pour la validation du quadrupleur, est généré en utilisant un balun actif avec un amplificateur-limiteur différentiel. Le signal différentiel à la sortie du quadrupleur est relié via un câblage par fil avec un balun passif réalisé à l'aide des lignes de transmission. Les résultats des mesures d'un circuit prototype ont permis de prouver que cette approche de la génération des fréquences des ondes millimétriques peut offrir une bande fonctionnelle allant jusqu'à 25 GHz avec une puissance de sortie de 0 dBm.

Domaines: Electronique

Vaclav Valenta, Mehmet Kaynak, Andreas Trasser, Hermann Schumacher. Quadrupleur de fréquences en technologie SiGe:C BiCMOS 130 nm pour un radar à ondes continues modulées en bande-F. 18èmes Journées Nationales Microondes, May 2013, France. pp.J1-DA3-3. ⟨hal-00825106⟩