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| HAL : hal-00750912, version 1 |
| DOI : 10.1002/jrs.3118 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| Journal of Raman Spectroscopy 43 (2012) 939-944 |
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| Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy |
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| F. Linez 1A. Canizares 1 |
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| (2012) |
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| 1 : | Conditions Extrêmes et Matériaux : Haute Température et Irradiation (CEMHTI) |
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CNRS : UPR3079 – Université d'Orléans |
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| 2 : | Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse (CSNSM) |
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CNRS : UMR8609 – IN2P3 – Université Paris XI - Paris Sud |
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| Domaine | : | Chimie/Matériaux |
| hal-00750912, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00750912 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00750912 | |
| Contributeur : Patrick Simon | |
| Soumis le : Lundi 12 Novembre 2012, 16:34:37 | |
| Dernière modification le : Lundi 12 Novembre 2012, 16:34:37 | |
