déposer
version française rss feed
HAL : hal-00750912, version 1

Fiche détaillée  Récupérer au format
Journal of Raman Spectroscopy 43 (2012) 939-944
Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy
F. Linez 1, A. Canizares 1, A. Gentils 2, G. Guimbretiere 1, P. Simon 1, M.-F. Barthe 1
(2012)
1 :  Conditions Extrêmes et Matériaux : Haute Température et Irradiation (CEMHTI)
CNRS : UPR3079 – Université d'Orléans
2 :  Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse (CSNSM)
CNRS : UMR8609 – IN2P3 – Université Paris XI - Paris Sud
Chimie/Matériaux

tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...
tous les articles de la base du CCSd...