Etude de la fiabilité d'un amplificateur de puissance classe B à base de HEMT GaN, en bande S. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Etude de la fiabilité d'un amplificateur de puissance classe B à base de HEMT GaN, en bande S.

Résumé

Un amplificateur de puissance RF a été conçu en vue d'une étude de la fiabilité des transistors HEMT GaN. Architecturé autour d'un transistor NITRONEX NPTB00050, et fonctionnant en classe B, à la fréquence de 3GHz, cet amplificateur développe une puissance de 40W à 1dB de compression (10dB de gain en puissance). Un rendement en puissance ajoutée de 55% a été obtenu pour ce régime. Deux maquettes ont été éprouvées pendant 1280 heures sous 1dB de compression en régime RF pulsé à une température de semelle de 80°C. Aucune dégradation n'a été constatée parmi les grandeurs suivies (gain, rendement, transconductance, tension de pincement). Des études supplémentaires mettant en oeuvre le transistor sous forte polarisation de drain à une température de châssis de 80°C sont en cours et tendent à montrer une évolution des caractéristiques statiques du transistor. Des analyses structurales par FIB et TEM des transistors dégradés seront entreprises afin de corréler les évolutions de ces caractéristiques avec des modifications physico-chimiques de la structure du transistor.

Domaines

Electronique
Fichier principal
Vignette du fichier
4C-2.pdf (262.76 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte
Loading...

Dates et versions

hal-00671523 , version 1 (17-02-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00671523 , version 1

Citer

Jean Baptiste Fonder, Farid Temcamani, Cédric Duperrier, Olivier Latry, Pascal Dherbécourt, et al.. Etude de la fiabilité d'un amplificateur de puissance classe B à base de HEMT GaN, en bande S.. 17èmes Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.4C-2. ⟨hal-00671523⟩
567 Consultations
396 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More