HAL : hal-00667419, version 1

DOI : 10.1109/TNS.2008.920255

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IEEE Transactions on Nuclear Science 55, 4 (2008) 1982 - 1991

Evaluation of Recent Technologies of Nonvolatile RAM

T. Nuns 1, S. Duzellier 1, J. Bertrand 1, G. Hubert 1, V. Pouget 2, Frédéric Darracq 2, J.P David 1, S. Soonckindt 1

(30/09/2008)

Two types of recent nonvolatile random access memories (NVRAM) were evaluated for radiation effects: total dose and single event upset and latch-up under heavy ions and protons. Complementary irradiation with a laser beam provides information on sensitive areas of the devices.

1 :	ONERA Département de l'Environnement SPatial (ONERA/DESP)
	ONERA
2 :	Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS)
	CNRS : UMR5218 – Université Sciences et Technologies - Bordeaux I – Institut Polytechnique de Bordeaux

Domaine

:

Sciences de l'ingénieur/Electronique

hal-00667419, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00667419

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00667419

Contributeur : Frédéric Darracq <>

Soumis le : Mardi 7 Février 2012, 15:49:36

Dernière modification le : Mardi 7 Février 2012, 15:49:36