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| HAL : hal-00667364, version 1 |
| Fiche détaillée |  Récupérer au format |
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| 2009 European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS),, Bruges : Belgique (2009) |
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| Investigation of single event burnout sensitive depth in power MOSFETS |
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| Frédéric Darracq 1V. Pouget 1 |
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| (18/09/2009) |
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| The depth of the Single-event burnout sensitive volume of power MOSFETs is investigated using TCAD simulation and TPA laser testing approaches. |
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| 1 : | Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS) |
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CNRS : UMR5218 – Université Sciences et Technologies - Bordeaux I – Institut Polytechnique de Bordeaux |
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| 2 : | Centre National d'Etudes Spatiales (CNES) |
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CNES |
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| 3 : | CNES/Centre National d'Etudes Spatiales |
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CNES |
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| Domaine | : | Physique/Physique/Optique Sciences de l'ingénieur/Electronique |
| hal-00667364, version 1 | |
| http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00667364 | |
| oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00667364 | |
| Contributeur : Frédéric Darracq | |
| Soumis le : Mardi 7 Février 2012, 14:54:05 | |
| Dernière modification le : Mardi 7 Février 2012, 14:54:05 | |
