%0 Conference Paper
%F Poster 
%T MBE growth and characterization of InN/InGaN thin films and nanostructures on GaN templates and Si(111) substrates.
%+ Departamento de Ingeniería Electrónica and ISOM (ETSI Telecomunicacion)
%+ Groupe d'étude des semiconducteurs (GES)
%+ Laboratoire Charles Coulomb (L2C)
%+ Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252)
%+ Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI)
%A Albert, Steven
%A Grandal, J.
%A Sanchez-Garcia, M.A.
%A Lefebvre, Pierre
%A Ristic, J.
%A Calleja, E.
%A Vilalta-Clemente, Arantxa
%A Lacroix, Bertrand
%A Ruterana, Pierre
%A Luna, E.
%A Jahn, Uwe
%A Trampert, A.
%< avec comité de lecture
%B 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2010)
%C Berlin, Germany
%8 2010-08-22
%D 2010
%Z Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]Conference poster
%G English
%Z Détachement P. Lefebvre à l'Universidad Politecnica de Madrid
%L hal-00633522
%U https://hal.science/hal-00633522
%~ CEA
%~ CNRS
%~ UNIV-MONTP2
%~ INSA-ROUEN
%~ GES
%~ L2C
%~ COMUE-NORMANDIE
%~ IRAMIS-CIMAP
%~ MIPS
%~ UNIV-MONTPELLIER
%~ UNIROUEN
%~ ENSICAEN
%~ UNICAEN
%~ INSA-GROUPE
%~ CIMAP
%~ IRAMIS
%~ UM1-UM2
%~ UM-2015-2021