HAL : hal-00610356, version 1

arXiv : 1105.3131

DOI : 10.1063/1.3627183

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Applied Physics Letters 99, 8 (2011) 082101

Voltage controlled terahertz transmission through GaN quantum wells

T. Laurent 1, R. Sharma, J. Torres 1, P. Nouvel 1, S. Blin, L. Varani 1, Y. Cordier 2, M. Chmielowska, S. Chenot 3, JP Faurie, B. Beaumont, P. Shiktorov, E. Starikov, V. Gruzinskis, V. Korotyevyev, V. Kochelap

(22/08/2011)

We report measurements of radiation transmission in the 0.220--0.325 THz frequency domain through GaN quantum wells grown on sapphire substrates at room and low temperatures. A significant enhancement of the transmitted beam intensity with the applied voltage on the devices under test is found. For a deeper understanding of the physical phenomena involved, these results are compared with a phenomenological theory of light transmission under electric bias relating the transmission enhancement to changes in the differential mobility of the two-dimensional electron gas.

1 :	Institut d'Electronique du Sud (IES)
	CNRS : UMR5214 – Université Montpellier II - Sciences et techniques
2 :	Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications (CRHEA)
	CNRS : UPR10 – Université Nice Sophia Antipolis [UNS]
3 :	Institut des Nanosciences de Paris (INSP)
	CNRS : UMR7588 – Université Pierre et Marie Curie [UPMC] - Paris VI

Domaine

:

Physique/Matière Condensée/Autre

hal-00610356, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00610356

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00610356

Contributeur : Jeremie Torres <>

Soumis le : Jeudi 21 Juillet 2011, 16:28:12

Dernière modification le : Mardi 23 Août 2011, 15:47:27