Investigation on TSV impact on 65nm CMOS devices and circuits

H. Chaabouni (1) , M. Rousseau (2) , P. Leduc (3) , A. Farcy (4) , R. El Farhane (5) , Aurélie Thuaire (6) , G. Haury , A. Valentian , G. Billiot , M. Assous , F. de Crecy , J. Cluzel , A. Toffoli (6) , D. Bouchu (7) , L. Cadix , T. Lacrevaz , P. Ancey (8) , N. Sillon , B. Flechet

1 LERMA - LERMA Cergy
2 CEA - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
3 IBCP - Institut de biologie et chimie des protéines [Lyon]
4 PPrime [Poitiers] - Institut Pprime [UPR 3346]
5 LGGE - Laboratoire de glaciologie et géophysique de l'environnement
6 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
7 ICBMS - Institut de Chimie et Biochimie Moléculaires et Supramoléculaires
8 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]

Domaines: Autre [cond-mat.other]

H. Chaabouni, M. Rousseau, P. Leduc, A. Farcy, R. El Farhane, et al.. Investigation on TSV impact on 65nm CMOS devices and circuits. IEEE International Electron Devices Meeting,, Dec 2010, San Francisco, United States. ⟨hal-00604339⟩