Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control

K. Romanjek , E. Augendre , W. van den Daele , B. Grandchamp (1) , L. Sanchez (2) , C. Le Royer , J.-M. Hertmann , B. Ghyselen (3) , E. Guiot , K. Bourdelle , S. Cristoloveanu (4) , F. Boulanger (5) , L. Clavelier (6)

1 IMS - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
2 IBDM - Institut de Biologie du Développement de Marseille
3 SOITEC
4 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
5 IAS - Institut d'astrophysique spatiale
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

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K. Romanjek, E. Augendre, W. van den Daele, B. Grandchamp, L. Sanchez, et al.. Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control. International Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS),, Jul 2009, Cambridge, United Kingdom. ⟨hal-00603830⟩