Wideband frequency and in-situ characterization of ultra thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Wideband frequency and in-situ characterization of ultra thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors

T. Bertaud
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Bermond
T. Lacrevaz
Corentin Vallée
  • Fonction : Auteur
Centre de Physique des Particules de Marseille
Y. Morand
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
B. Fléchet
A. Farcy
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Études Aérodynamiques
M. Gros-Jean
  • Fonction : Auteur
Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
S. Blonkowski
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]

Domaines

Optique / photonique

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https://hal.science/hal-00602814

Soumis le : jeudi 23 juin 2011-14:30:43

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00602814 , version 1 (23-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00602814 , version 1

Citer

T. Bertaud, C. Bermond, T. Lacrevaz, Corentin Vallée, Y. Morand, et al.. Wideband frequency and in-situ characterization of ultra thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors. 18th Materials for Advanced Metallization Conference, Mar 2009, Grenoble, France. ⟨hal-00602814⟩

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