Extraction des paramètres électriques sur les transistors CMOS de technologies avancées

Dominique Fleury (1, 2) , Antoine Cros (2) , Krunoslav Romanjek (3) , Benjamin Dumont (3) , Hugues Brut (2)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 NXP Semiconductors

L'extraction des paramètres électriques est un point clef pour la compréhension des phénomènes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors. La réduction des dimensions impose aujourd'hui d'adapter les méthodes d'extraction préexistantes aux nouvelles générations de dispositifs. Ainsi, nous montrons comment – à partir de courbe courant-tension ID(VG) et capacité-tension Cgc(VG) – il est possible d'extraire avec précision la mobilité à bas champ (μ0) et les résistances séries (RSD) sur des transistors ultra-courts.

Mots clés: Extraction de paramètres; Caractérisation électrique; MOSFET; fonction-Y

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Dominique Fleury, Antoine Cros, Krunoslav Romanjek, Benjamin Dumont, Hugues Brut. Extraction des paramètres électriques sur les transistors CMOS de technologies avancées. Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, May 2007, Lille, France. ⟨hal-00465795⟩