HAL : hal-00430452, version 1

arXiv : 0907.2523

DOI : 10.1007/s10762-009-9564-9

Fiche détaillée

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Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves 30, 12 (2009) 1319-1337

Field Effect Transistors for Terahertz Detection: Physics and First Imaging Applications

W. Knap 1, Michel Dyakonov 2, D. Coquillat 1, F. Teppe 1, N. Dyakonova 1, J. Łusakowski, K. Karpierz, M. Sakowicz, G. Valusis, D. Seliuta, I. Kasalynas, A. El Fatimy, Y. Meziani, T. Otsuji

(09/12/2009)

Resonant frequencies of the two-dimensional plasma in FETs increase with the reduction of the channel dimensions and can reach the THz range for sub-micron gate lengths. Nonlinear properties of the electron plasma in the transistor channel can be used for the detection and mixing of THz frequencies. At cryogenic temperatures resonant and gate voltage tunable detection related to plasma waves resonances, is observed. At room temperature, when plasma oscillations are overdamped, the FET can operate as an efficient broadband THz detector. We present the main theoretical and experimental results on THz detection by FETs in the context of their possible application for THz imaging.

1 :	Groupe d'étude des semiconducteurs (GES)
	CNRS : UMR5650 – Université Montpellier II - Sciences et techniques
2 :	Laboratoire de Physique Théorique et Astroparticules (LPTA)
	CNRS : UMR5207 – IN2P3 – Université Montpellier II - Sciences et techniques

Domaine

:

Physique/Matière Condensée/Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique Physique/Matière Condensée/Autre

Mots Clés : THz detectors - Field-effect transistors - Plasma waves - Imaging

hal-00430452, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00430452

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00430452

Contributeur : Logiciel Aigle <>

Déposé pour le compte de : Michel DYAKONOV <>

Soumis le : Vendredi 6 Novembre 2009, 18:53:04

Dernière modification le : Lundi 9 Novembre 2009, 16:04:17