%0 Conference Paper
%F Oral 
%T SIMS Investigation of Ge and N Incorporation in 3C-SiC Layers Grown by VLS from Ge-Si Melts
%+ Groupe d'étude des semiconducteurs (GES)
%+ Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces (LMI)
%A Peyre, Hervé
%A Habka, Nada
%A Soulière, Véronique
%A Soueidan, Maher
%A Ferro, Gabriel
%A Monteil, Yves
%A Camassel, Jean
%Z Poster
%< avec comité de lecture
%B Hetero-SiC'07
%C Grenoble, France
%8 2007-06-28
%D 2007
%K SIMS
%K VLS
%K 3C-SiC
%K Ge
%Z Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]Conference papers
%G English
%L hal-00389841
%U https://hal.science/hal-00389841
%~ CNRS
%~ UNIV-LYON1
%~ UNIV-MONTP2
%~ GES
%~ LMI
%~ UNIV-MONTPELLIER
%~ UDL
%~ UNIV-LYON
%~ UM1-UM2
%~ TEST2-HALCNRS