HAL : hal-00329892, version 1

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Electronics Letters 39, 11 (2003) 846-847

Picosecond pulse generation with 1.5 μm passively modelocked surface-emitting semiconductor laser

S. Hoogland, A. Garnache 1, I. Sagnes, B. Paldus, K.J. Weingarten, R. Grange 2, M. Haiml, U. Keller, A.C. Tropper

(2003)

The authors report the first demonstration of an optically pumped passively modelocked surface-emitting semiconductor laser operating in the 1.5 μm region. The modelocked laser emits pulses of 6.5 ps full width at half maximum duration with an average power of 13.5 mW at a fundamental repetition rate of 1.342 GHz. The peak power was 1.6 W.

1 :	Institut d'Electronique du Sud (IES)
	CNRS : UMR5214 – Université Montpellier II - Sciences et techniques
2 :	Laboratoire d'Astrophysique de Marseille (LAM)
	CNRS : UMR6110 – INSU – Université de Provence - Aix-Marseille I

Domaine

:

Sciences de l'ingénieur/Electronique

hal-00329892, version 1

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oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00329892

Contributeur : Sylvie Tixier <>

Soumis le : Lundi 13 Octobre 2008, 15:38:51

Dernière modification le : Jeudi 30 Octobre 2008, 14:31:54