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The Seventh International Symposium on Swift Heavy Ions in Matter, Lyon : France (2008)
Defects creation in sapphire by swift heavy ions: a fluence depending process
A. Kabir ( ) 1, A. Meftah 1, J.-P. Stoquert 2, M. Toulemonde 3, I. Monnet 3
(06/2008)

Single crystals of sapphire (α-Al2O3) were irradiated at GANIL with 0.7 MeV/amu xenon ions corresponding to an electronic stopping power of 21 keV/nm. Several fluences were applied between 5×1011 and 2×1014 ions/cm². Irradiated samples were characterized using optical absorption spectroscopy. This technique exhibited the characteristic bands associated with F and F+ centers defects. The F centers density was found to increase with the fluence following two different kinetics: a rapid increase for fluences less than 1013 ions/cm² and then, a slow increase for higher fluences. For fluences less than 1013 ions/cm², results are in good agreement with those obtained by Canut et al. [Phys. Rev. B 51 (1995) 12194]. In the fluences range: 1013 to 1014 ions/cm², the F centers defects creation process is found to be different from the one evidenced for fluences less than 1013 ions/cm².
1 :  Laboratoire de Recherches sur la Physico-Chimie des Surfaces et Interfaces (LRPCSI)
Université 20 Août 1955 Skikda
2 :  Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes (InESS)
CNRS : UMR7163 – Université Louis Pasteur - Strasbourg I
3 :  Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP)
Ecole Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen – Université de Caen – CNRS : UMR6252 – CEA : DSM/IRAMIS
Physique/Matière Condensée/Science des matériaux
Sapphire – Swift heavy ions – Optical absorption – F center defects
Liste des fichiers attachés à ce document : 
PDF
KABIR_manuscript_PB30.pdf(167.5 KB)

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