HAL : hal-00174731, version 1

arXiv : 0709.3894

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Electrically injected cavity polaritons

Luca Sapienza 1, Angela Vasanelli (  Auteur correspondant ) 1, Raffaele Colombelli 2, Cristiano Ciuti 1, Yannick Chassagneux 2, Christophe Manquest 1, Ulf Gennser 3, Carlo Sirtori 1

(25/09/2007)

We have realised a semiconductor quantum structure that produces electroluminescence while operating in the light-matter strong coupling regime. The mid-infrared light emitting device is composed of a quantum cascade structure embedded in a planar microcavity, based on the GaAs/AlGaAs material system. At zero bias, the structure is characterised using reflectivity measurements which show, up to room temperature, a wide polariton anticrossing between an intersubband transition and the resonant cavity photon mode. Under electrical injection the spectral features of the emitted light change drastically, as electrons are resonantly injected in a reduced part of the polariton branches. Our experiment demonstrates that electrons can be selectively injected into polariton states up to room temperature.

1 :	Matériaux et Phénomènes Quantiques (MPQ)
	CNRS : UMR7162 – CNRS : FR2437 – Université Paris VII - Paris Diderot
2 :	Institut d'électronique fondamentale (IEF)
	CNRS : UMR8622 – Université Paris XI - Paris Sud
3 :	Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN)
	CNRS : UPR20

Équipe de recherche : Laboratoire MPQ (Université Paris Diderot), IEF (Université Paris Sud), LPN (CNRS), CNRS

Domaine

:

Physique/Matière Condensée/Autre Physique/Physique Quantique

Mots Clés : light-matter strong coupling regime – intersubband polaritons – electroluminescence – LED – tunnelling

hal-00174731, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00174731

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00174731

Contributeur : Luca Sapienza <>

Soumis le : Mardi 25 Septembre 2007, 10:34:46

Dernière modification le : Mardi 25 Septembre 2007, 10:36:31